
Μαθήματα Κατεύθυνσης
Μαθήματα Κατεύθυνσης
Περιεχόμενα: Ιδανικοί Τελεστικοί Ενισχυτές (ΤΕ). Αναστρέφουσα και μη αναστρέφουσα συνδεσμολογία. Μη ιδανικότητες ΤΕ. Εφαρμογές ΤΕ: Φίλτρα, Διαφοριστές Ολοκληρωτές, Συχνοτική απόκριση, Διάγραμμα Bode. Απόκριση κατά συχνότητα των ενισχυτών (βασικές έννοιες, απόκριση του ενισχυτή στις χαμηλές συχνότητες, απόκριση του ενισχυτή στις υψηλές συχνότητες). Τρανζίστορ πεδίου (FET) (το FET επαφής-JFET, οι χαρακτηριστικές και οι παράμετροι του JFET, πόλωση του JFET, το FET Μετάλλου-Οξειδίου-Ημιαγωγού-MOSFET, οι χαρακτηριστικές και οι παράμετροι του MOSFET, η πόλωση του MOSFET). Ενισχυτές FET μικρού σήματος (η λειτουργία του ενισχυτή μικρού σήματος με FET, ενίσχυση με FET, ενισχυτές κοινής Πηγής, ενισχυτές κοινής Εκροής, ενισχυτές κοινής Πύλης, απόκριση κατά συχνότητα των ενισχυτών FET).Γνωριμία με τα όργανα του εργαστηρίου και με τα προγράμματα προσομοίωσης αναλογικών κυκλωμάτων, μετρώντας τάσεις και ρεύματα DC. Βασικά χαρακτηριστικά των τελεστικών ενισχυτών και των συγκριτών. Σχεδιασμός ενισχυτή με χρήση τελεστικών ενισχυτών. Αρχές της ενίσχυσης. Χαρακτηριστικά και εφαρμογές MOSFET, Ενισχυτής ακουστικών συχνοτήτων με JFET. RC μεταβατικά κυκλώματα, Φίλτρα, απόκριση συχνότητας. LC κυκλώματα, συντονισμός και μετασχηματιστές.
Στο τέλος του μαθήματος ο φοιτητής θα μπορεί να:
Αξιολόγηση: Η αξιολόγηση θα πραγματοποιηθεί με γραπτές εξετάσεις στο τέλος του εξαμήνου ή με εργασίες, ή με γραπτές εξετάσεις και εργασίες. Οι εργασίες αν θα συνδυαστούν με εξετάσεις θα συνεισφέρουν στον τελικό βαθμό με ποσοστό που θα κυμαίνεται μεταξύ 40% και 60%.
Μέθοδοι αξιολόγησης: Ερωτήσεις σύντομης απάντησης, Ερωτήσεις ανάπτυξης δοκιμίων, Ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής, Επίλυση προβλημάτων, Γραπτή εργασία, Έκθεση / Αναφορά, Προφορική εξέταση, Δημόσια παρουσίαση, Εργαστηριακή εργασία.
Βιβλιογραφία: