
Κορμού
Κορμού
Περιεχόμενα: Θεωρία: Εισαγωγή στους ημιαγωγούς (ενδογενείς ημιαγωγοί, ημιαγωγοί τύπου-n και τύπου-p, η επαφή pn, πόλωση της επαφής pn, χαρακτηριστική τάσης ρεύματος της επαφής pn, η δίοδος pn). Εφαρμογές της διόδου (ανορθωτές - ημιανόρθωση - πλήρης ανόρθωση, φίλτρα διήθησης, περιοριστής, ψαλιδιστής, πολλαπλασιαστές τάσης). Δίοδοι ειδικού σκοπού (δίοδος Zener και εφαρμογές, δίοδος Varactor, οπτικές δίοδοι, άλλοι τύποι διόδων). Διπολικά τρανζίστορ επαφής (BJT) (η δομή του τρανζίστορ, η βασική λειτουργία του τρανζίστορ, οι χαρακτηριστικές και οι παράμετροι του τρανζίστορ, το τρανζίστορ σαν ενισχυτής, το τρανζίστορ σαν διακόπτης, λογικές πύλες). Συνδεσμολογίες διπολικού τρανζίστορ: Κοινός Εκπομπός Κοινή Βάση και Κοινός Συλλέκτης. Κυκλώματα πόλωσης των τρανζίστορ (το DC σημείο λειτουργίας, πόλωση της Βάσης, πόλωση του Εκπομπού, πόλωση με διαιρέτη τάσης, πόλωση με ανασύζευξη από τον Συλλέκτη). Διπολικοί ενισχυτές μικρού σήματος (η λειτουργία μικρού σήματος του ενισχυτή, ισοδύναμα κυκλώματα μικρού σήματος (AC) του τρανζίστορ, ενισχυτής κοινού εκπομπού, ενισχυτής κοινού συλλέκτη, ενισχυτής κοινής βάσης). Απόκριση κατά συχνότητα των ενισχυτών (βασικές έννοιες, απόκριση του ενισχυτή στις χαμηλές συχνότητες, απόκριση του ενισχυτή στις υψηλές συχνότητες). Τρανζίστορ πεδίου (FET) (το FET επαφής-JFET, οι χαρακτηριστικές και οι παράμετροι του JFET, πόλωση του JFET, το FET Μετάλλου-Οξειδίου-Ημιαγωγού-MOSFET, οι χαρακτηριστικές και οι παράμετροι του MOSFET, η πόλωση του MOSFET). Ενισχυτές FET μικρού σήματος (η λειτουργία του ενισχυτή μικρού σήματος με FET, ενίσχυση με FET, ενισχυτές κοινής Πηγής, ενισχυτές κοινής Εκροής, ενισχυτές κοινής Πύλης, απόκριση κατά συχνότητα των ενισχυτών FET). Ιδανικοί Τελεστικοί Ενισχυτές (ΤΕ). Αναστρέφουσα και μη αναστρέφουσα συνδεσμολογία. Μη ιδανικοτήτες ΤΕ. Εφαρμογές ΤΕ: Φίλτρα, Διαφοριστές Ολοκληρωτές, Συχνοτική απόκριση, Διάγραμμα Bode.
Εργαστήριο:
Αξιολόγηση: Γραπτές εξετάσεις στο τέλος του εξαμήνου στην θεωρία (70-80% στην τελική βαθμολογία) και γραπτές/προφορικές στο εργαστήριο (20-30% στην τελική βαθμολογία). Υπάρχει περίπτωση να δοθούν στην θεωρία ή/και στο εργαστήριο, εργασίες, και/ή να διεξαχθεί ενδιάμεση προφορική ή/και γραπτή εξέταση (πρόοδος), με ποσοστό 30-50%, επί του ποσοστού που τους αναλογεί (θεωρία και εργαστήριο), στην τελική βαθμολογία. Προϋπόθεση και οι τρεις βαθμοί (τυχόν εργασίας/προόδου, τελικής εξέτασης θεωρίας, και εργαστηριακών ασκήσεων) να είναι μεγαλύτεροι ή ίσοι του 5. Προβιβάσιμος βαθμός στο εργαστήριο ή στην θεωρία, μπορεί να διακρατηθεί για τα επόμενα έτη.
Μέθοδοι αξιολόγησης: Ερωτήσεις σύντομης απάντησης, Ερωτήσεις ανάπτυξης δοκιμίων, Ερωτήσεις πολλαπλής επιλογής, Επίλυση προβλημάτων, Γραπτή εργασία, Προφορική εξέταση, Εργαστηριακή εργασία.
Βιβλιογραφία: